会社の特徴
当社は、2021年11月に設立した東京大学工学部発のテクノロジーベンチャー企業です。
次世代の半導体に無くてはならない素材の研究開発・製造・販売で自動運転、AI、5G/6Gなど「より豊かな世界を創造し、人類のために最大たる貢献」を目指しております。
デジタルトランスフォーメーションへの変革が加速し、これまで以上に半導体の必要性・重要性が高まってくる中で、当社独自の技術を駆使し、分野を問わず半導体の飛躍的な成長に貢献致します。
【募集の背景】
2023年に第2回目の資金調達を行い、累計18.5億円の資金調達を実施致しました。
更なる事業拡大に向けて社内体制を強化していく事を目的とし、グローバルで共創できる重要な役割にてご活躍いただける方を募集する運びとなりました。
【事業の成長性】
2023年の化合物半導体市場規模は約460億ドルに達し、2025年には1兆ドルを超えると予想されています。
しかし、単元素半導体、特にシリコン(Si)には、電力や高温環境での性能に限界があります。例えば、シリコンベースの半導体は高電圧・高温環境での効率が低く、次世代の電気自動車やパワーエレクトロニクス等には対応できない特性があります。対して、AlN(アルミニウムナイトライド)やSiC(シリコンカーバイド)、GaN(ガリウムナイトライド)などの化合物半導体は、耐熱性・耐電圧性に優れ、より効率的な電力管理を実現します。これらの化合物半導体はパワー半導体市場で300億ドル規模に達すると予想され、急成長が見込まれています。
当社の多能性中間膜技術は、従来の化合物基板に依存せず、Si基板を活用することにより約60%以上のコスト削減を可能としました。また、Si基板は大口径ウェハの使用が可能で、生産性が最大3倍向上します。これにより、半導体エコシステムに大きなゲームチェンジをもたらし、格子整合性の課題を解決しながら、高品質なヘテロエピタキシャル成長を実現します。